金融界 2024 年 7 月 16 日消息，天眼查知识产权信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法“，公开号 CN4.X，申请日期为 2024 年 4 月。

　　专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：提供基底，基底上形成有由下至上依次堆迭的第一振膜、第一支撑结构、背极板和第二支撑结构，其中第一支撑结构包括由下至上依次堆迭的第一至第 M 层第一支撑层，第二支撑结构包括由上至下依次堆迭的第一至第 M 层第二支撑层；执行干法刻蚀工艺，刻蚀第二支撑结构和第一支撑结构形成侧壁垂直的通孔；执行湿法刻蚀工艺，刻蚀通孔的侧壁使得通孔的两端部的侧壁倾斜以及通孔的中间部的侧壁垂直，且通孔的两端部的宽度均大于通孔的中间部的宽度；形成支撑材料层填充于通孔内以形成支撑柱。本发明能够改善器件的应力集中现象，提高器件的可靠性。

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